1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP08N50D2
171,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 312нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 4,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 11нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Долото; L: 250мм; SDS-Plus®; Шир.након: 20мм; плоські
Долото; L: 250мм; SDS-Plus®; Шир.након: 20мм; плоські

425,11 грн

Kind of chisel:
плоські
Вид рукоятки:
SDS-Plus®
Використання інструментів:
бетон; стіни; цегляні матеріали
Довжина:
0,25м
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,5пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 200МГц; 3÷3,6ВDC; SMD; VQFN36
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 200МГц; 3÷3,6ВDC; SMD; VQFN36

102,00 грн

Вид архітектури:
Harvard 32bit
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; PWM; віконний компаратор; операційний підсилювач
Інтерфейс:
ADC x15; DAC; I2C; LIN; SPI; UART
Недоступний
Резистор: thick film; 169Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 169Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Реле: електромагнітнe; 110ВDC; SPST-NO; Iконтактів max: 30А; 20мс
Реле: електромагнітнe; 110ВDC; SPST-NO; Iконтактів max: 30А; 20мс

3214,65 грн

Висота:
35,7мм
Зовнішні розміри:
50x35,7x35,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
30А
Недоступний
Резистор: thin film; 562Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 562Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

432,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 9,7А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 9,7А; 150Вт; TO247AC

161,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 49А; 83Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 49А; 83Вт; TO220AB

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; TO220-3

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT