Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 20А; Idm: 150А; 86Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: WMO87N25JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: WMO87N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 198нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 36мФ; 40ВDC; Ø36x82мм; Растр: 12,8мм
Конденсатор: електролітичний; 36мФ; 40ВDC; Ø36x82мм; Растр: 12,8мм

642,42 грн

Alias:
A390FH363M040A
Виводи:
болтове
Висота:
82мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; CQ; 50В

0,83 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 510Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 510Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A

207,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

84,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
20,7мм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 12A/277ВAC; HF152FD
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 12A/277ВAC; HF152FD

77,93 грн

Виводи:
до лютування
Висота:
20,6мм
Зовнішні розміри:
21,2x20,6x16мм
Кількість пін:
6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK