Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 20А; Idm: 150А; 86Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: WMM87N25JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: WMM87N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 198нс
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1кА; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1кА; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19

1868,35 грн

Вимір:
струму AC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
97мм
Клас герметичності:
IP52
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 10; BM23FR; vertical
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 10; BM23FR; vertical

21,86 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0480-0257-0-95
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 24,9кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 24,9кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 81; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 81; THT; straight

60,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,2мм
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2÷6ВDC; Uвих: 2ВDC; 0,05А; CL2025
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2÷6ВDC; Uвих: 2ВDC; 0,05А; CL2025

109,60 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2В DC
Вихідний струм:
50мА
Недоступний
Резистор: thin film; 28,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 28,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252