1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3
Немає в наявності
Код товару: IPB600N25N3GATMA1
197,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPB600N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: 25А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 4; 10кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 4; 10кА

5389,01 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; 0-1; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; 0-1; для вбудовування

2484,80 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
Резистор: thick film; 681Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 681Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 191кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 191кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%; -55÷155°C

1,01 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1752,41 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,42А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23

2,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 600Вт; TO268
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 600Вт; TO268

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
155нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263