Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 31А; Idm: 145А; 92Вт; 180нс
Brand: WAYON
SKU: WMB83N25JN
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 31А; Idm: 145А; 92Вт; 180нс

Немає в наявності

Код товару: WMB83N25JN

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

WMB83N25JN

Виробник:

WAYON

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

10нКл

Корпус:

PDFN5060-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

250В

Опір в стані провідності:

31мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

92Вт

Струм стока:

31А

Струм стоку в імпульсі:

145А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Час готовності:

180нс

Недоступний

Бажані

Діод: зенера; 1Вт; 75В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

613,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Допуск:
±5%

Зенерівська напруга:
75В

Корпус:
DO213AB; MELF glass

Недоступний

Бажані

Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

3029,02 грн

Довжина кабелю:
5м

Ізоляційний матеріал проводу:
TPE-S

Кількість пін:
5

Колір ізоляції:
синій

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Ємність:
7,5пФ

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
DFN3.3x3.3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
DFN3x3 EP

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
153нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-40В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±16В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
50нКл

Корпус:
D2PAK