Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 4,2А; Idm: 21А; 31Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: WMM09N25JN
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM09N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,9нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 4,2А
Струм стоку в імпульсі: 21А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 75нс
Недоступний
Роз’єм: Jack 3,5мм; гніздо; гніздовий; аудіо відео; горизонтальне
Роз’єм: Jack 3,5мм; гніздо; гніздовий; аудіо відео; горизонтальне

74,76 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C

4,17 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Connector: wire-board; socket; male; data; 1A; 125V; PIN: 3; 1.25mm
Connector: wire-board; socket; male; data; 1A; 125V; PIN: 3; 1.25mm

6,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 128Мx32бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс
IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 128Мx32бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс

4133,94 грн

Вид пам’яті:
LPDDR4; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Гб DRAM
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C

3,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Опір:
4,7кОм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В; MSOP8; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В; MSOP8; туба

172,33 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
pseudo-differential
Недоступний
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 100мА; 385мВт
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 100мА; 385мВт

18,37 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD