1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 6,5А; Idm: 33А; 36Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 6,5А; Idm: 33А; 36Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: WMO17N25JN
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO17N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,1нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,17Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 6,5А
Струм стоку в імпульсі: 33А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 98нс
Недоступний
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
ИК передавач; 5мм; 940нм; синa,прозора; 20мВт; 30°; THT
ИК передавач; 5мм; 940нм; синa,прозора; 20мВт; 30°; THT

6,97 грн

Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
940нм
Кут світіння:
30°
Лінза діода:
прозора; синa
Недоступний
Резистор: thick film; 30,1кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30,1кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 2м; тросик; Cu; PUR; 22AWG
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 2м; тросик; Cu; PUR; 22AWG

2411,31 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Контейнер: органайзер; 155x365x365мм; Il.шухл.в модулі: 9
Контейнер: органайзер; 155x365x365мм; Il.шухл.в модулі: 9

684,87 грн

Застосування контейнерів:
для переховування дрібних предметів
Зовнішні розміри:
155x365x365мм
кількість шухлядок в модулі:
9
Тип контейнера:
органайзер
Недоступний
Резистор: thin film; 1,42кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 1,42кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В

1,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Connector: wire-board; plug; male; data; Inom: 3A; 267V; PIN: 4; THT
Connector: wire-board; plug; male; data; Inom: 3A; 267V; PIN: 4; THT

45,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252AA
Монтаж:
SMD