1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; Idm: 580А; 416Вт; TO263

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; Idm: 580А; 416Вт; TO263
Немає в наявності
Код товару: WMM160N25JN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: WMM160N25JN
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 6,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 416Вт
Струм стока: 96А
Струм стоку в імпульсі: 580А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 260нс
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; THT; angled; 3x16
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; THT; angled; 3x16

57,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 427Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 427Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,1кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,22 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 6.5A; 250V; PIN: 4
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 6.5A; 250V; PIN: 4

167,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
4
Недоступний
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 100В; Ufmax: 1,1В; If: 25А; THT
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 100В; Ufmax: 1,1В; If: 25А; THT

129,24 грн

Виводи:
конектори FASTON
Вид упаковки:
коробка
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А
Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
HEMT
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD