1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; Idm: 7,6А; 350мВт; SOT323

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; Idm: 7,6А; 350мВт; SOT323
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJC7400_R1_00001
10,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJC7400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,8нКл
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 1,9А
Струм стоку в імпульсі: 7,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резисторна зборка: Y; 100Ом; ±5%; Кіл-ть резисторів: 4; 62,5мВт
Резисторна зборка: Y; 100Ом; ±5%; Кіл-ть резисторів: 4; 62,5мВт

5,07 грн

Властивості резисторів:
незалежний вивод резисторів
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Кількість резисторів:
4
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT23
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT23

9,50 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 21мА; SIP7; THT; ККД: 80%; Uізол: 3кВ
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 21мА; SIP7; THT; ККД: 80%; Uізол: 3кВ

247,09 грн

Вихідний струм:
21мА
Кількість виходів:
2
ККД:
80%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 33мкФ; 16ВDC; Y; 2917; SMD; TCJ
Конденсатор: танталово-полімерний; 33мкФ; 16ВDC; Y; 2917; SMD; TCJ

77,29 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
Y
Недоступний
Patch cord; S/FTP; Cat 8.1; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; Cu; LSZH
Patch cord; S/FTP; Cat 8.1; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; Cu; LSZH

1442,60 грн

Будова екрану:
потрійно екрановані
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 5000шт.
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 5000шт.

0,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,25x2x0,5мм
Недоступний
Реактор: film; SMD; 0201; 4,7нГн; 250мА; R: 0,72Ом; ±5%; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 0201; 4,7нГн; 250мА; R: 0,72Ом; ±5%; LQP; 180мм

0,44 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
4,7нГн
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK