1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 580А; 88Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; Idm: 580А; 88Вт
Немає в наявності
Код товару: PSMN2R5-30YL,115
70,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN2R5-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,47мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 88Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 580А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; 250мВт; SOT23
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; 250мВт; SOT23

6,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; THT; 3A; 250V

1050,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Провід; UNITRONIC® LiYY; LiYY; 2x1мм2; неекранований; 500В; Cu
Провід; UNITRONIC® LiYY; LiYY; 2x1мм2; неекранований; 500В; Cu

76,66 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LiYY
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 45; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 45; THT; 1.5A

764,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 4кБSRAM; TQFP80; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 4кБSRAM; TQFP80; 3÷3,6ВDC; DSPIC

359,22 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Свердло-набір; для металу; 19шт; TiN
Свердло-набір; для металу; 19шт; TiN

1090,98 грн

Діаметр свердла:
1мм; 1,5мм; 2мм; 2,5мм; 3мм; 3,5мм; 4мм; 4,5мм; 5мм; 5,5мм; 6мм; 6,5мм; 7мм; 7,5мм; 8мм; 8,5мм; 9мм; 9,5мм; 10мм
Кількість в наборі/упаковці:
19шт.
Матеріал:
шліфована швидкорізальна сталь HSS-G
Матеріал покриття:
TiN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6