Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13,8А; Idm: 55,2А; 2,2Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMR14N03TB
33,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMR14N03TB
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21,5нКл
Корпус: DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,2Вт
Струм стока: 13,8А
Струм стоку в імпульсі: 55,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V

71,59 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 3A; 100V

171,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
LED; 5мм; червоний; 3000мкд; 30°; Голівка: опукла; 3÷13ВDC
LED; 5мм; червоний; 3000мкд; 30°; Голівка: опукла; 3÷13ВDC

36,11 грн

Властивості діодів LED:
без стопера; вбудований резистор, що обмежує струм
Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
620...630нм
Резистор: thick film; 200мкОм; SMD; 3921; 12Вт; ±1%; CSS; -55÷170°C
Резистор: thick film; 200мкОм; SMD; 3921; 12Вт; ±1%; CSS; -55÷170°C

53,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
3921
Корпус - мм:
10052
Недоступний
Для передачі даних; -55÷125°C; HF-U; 100ВDC; 7,5А; 100пФ
Для передачі даних; -55÷125°C; HF-U; 100ВDC; 7,5А; 100пФ

16693,51 грн

Ємність:
0,1нФ
Максимальна напруга:
100В DC
Максимальний струм:
7,5А
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 2кБSRAM; QFN-S28; DSPIC; 0,65мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 2кБSRAM; QFN-S28; DSPIC; 0,65мм

218,58 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PPS; PWM; rail-to-rail; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; JTAG; LIN; SMBus; SPI; UART
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 14бит; 65Мsps; VQFN48; 1,8÷3,3ВDC
IC: перетворювач D/A; 14бит; 65Мsps; VQFN48; 1,8÷3,3ВDC

0,00 грн

Інтерфейс:
SPI
Корпус:
VQFN48
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
1,8...3,3В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK