Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13А; Idm: 110А; 1,5Вт

Немає в наявності
Код товару: DMT35M4LFVW-7
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMT35M4LFVW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 16,1нКл
Корпус: PowerDI®3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; CRGP

8,49 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CH; 2x1мм2; LSZH; сірий; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CH; 2x1мм2; LSZH; сірий; 300В,500В

362,39 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; THT; PDIP14; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; THT; PDIP14; PIC16

122,28 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP; CLC; CWG; DIA; FVR; NCO; PoR; PPS; SAF; watchdog; ZCD
Інтерфейс:
EUSART; GPIO; I2C; LIN; RS232 / RS485; SMBus; SPI
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 40,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 40А; 0-1; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 40А; 0-1; для вбудовування

1896,86 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
3
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJUP6D
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJUP6D

2,41 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD