Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15,7А; Idm: 89А; 19Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK6D22-30EX
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK6D22-30EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: DFN6; SOT1220
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: 15,7А
Струм стоку в імпульсі: 89А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V

276,86 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 4,42кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 4,42кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 120Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 120Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 10кВ; ±10%; THT; 10мм
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 10кВ; ±10%; THT; 10мм

41,18 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,1нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.8mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.8mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,8мм
Недоступний
Маркер: кабельний; Маркування: : ; 2,6÷3,5мм; POM; білий; PLIOSNAP
Маркер: кабельний; Маркування: : ; 2,6÷3,5мм; POM; білий; PLIOSNAP

1125,19 грн

Зовнішній діаметр проводу:
2,6...3,5мм
Клас горючості:
UL94HB
Колір:
білий
Колір друкованого знаку:
чорний
Недоступний
IC: контролер; parallel; Uробоча: 4,5÷5,5В; Uживл: 3,3В; туба
IC: контролер; parallel; Uробоча: 4,5÷5,5В; Uживл: 3,3В; туба

1401,42 грн

Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
parallel
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3,3В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669