1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMN3009SK3-13
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3009SK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,4Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кінцевий датчик; регульований важіль, ролик; NC + NO x2; 10А
Кінцевий датчик; регульований важіль, ролик; NC + NO x2; 10А

2380,89 грн

Вид головки:
регульований важіль, ролик
Властивості перемикачів:
контакти залежної дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,82 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 800В; If: 165А; 34MM
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 800В; If: 165А; 34MM

703,88 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
34MM
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

1,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

3,14 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TPS

14,64 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
3,3мкФ
Корпус:
B
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD