Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 190А; Idm: 760А; 192Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMM190N03TS
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM190N03TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,1мкКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 192Вт
Струм стока: 190А
Струм стоку в імпульсі: 760А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 68,1Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 68,1Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Вимикач безпеки: з ключем; D4GS-N; NC x2 + NO; IP67; пластик
Вимикач безпеки: з ключем; D4GS-N; NC x2 + NO; IP67; пластик

9644,59 грн

Властивості вимикачів безпеки:
без ключа
Довжина проводу:
3м
Електричне під'єднування:
проводи
Електричні параметри роз’ємів:
240В AC / 0,75А
Насадка: шестигранний-bit; HEX 14мм; 1/2"; Довж.насадки: 60мм
Насадка: шестигранний-bit; HEX 14мм; 1/2"; Довж.насадки: 60мм

588,57 грн

Відповідність стандарту:
DIN 7422
Довжина насадки:
60мм
Матеріал:
хромована сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

2365,69 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
1,25А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD