Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 19А; 2,8Вт; PQFN3.3X3.3

Немає в наявності
Код товару: IRFHM8326TRPBF
12,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: IRFHM8326TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Корпус: PQFN3.3X3.3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,8Вт
Струм стока: 19А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 208кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 208кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,6пФ
IC: стабілізатор напруги; 500мА; TO263-3; SMD; BD; -40÷150°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 500мА; TO263-3; SMD; BD; -40÷150°C; Ch: 1

91,87 грн

Вихідний струм:
0,5А
Кількість каналів:
1
Корпус:
TO263-3
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B

2,61 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; 125Вт

206,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252AA