Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 1,08Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: SI2304BDS-T1-GE3
15,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: SI2304BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,105Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,08Вт
Струм стока: 2,6А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5A/250ВAC; THT

65,26 грн

Виводи:
для друку; до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Зовнішні розміри:
20x5x12,5мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 42; SMT; vertical
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 42; SMT; vertical

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
3,7мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 113кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В
Резистор: thin film; 113кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%; 200В

4,62 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±0,1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; SMD; TQFP100; PIC24; лоток; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; SMD; TQFP100; PIC24; лоток; 8кБSRAM

378,23 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); Phase locked loop; PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; ECAN; I2C x2; IrDA; JTAG; LIN; PWM; SMBus; SPI x2; UART x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; CQ; 200В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 2220

32,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD