1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 1,08Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 1,08Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: SI2304BDS-T1-GE3
15,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: SI2304BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,105Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,08Вт
Струм стока: 2,6А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; N2XCH; 24x1,5мм2; дріт; Cu; LSZH; чорний; 600В,1000В
Провід; N2XCH; 24x1,5мм2; дріт; Cu; LSZH; чорний; 600В,1000В

1346,94 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
N2XCH
Недоступний
Резистор: thin film; 63,4Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 63,4Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Резистор: thick film; 143кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 143кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 3,28кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 3,28кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 453кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 453кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 12,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12,1Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; HF152F
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; HF152F

88,06 грн

Виводи:
до лютування
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
6,5В DC
Макс. струм контактів:
20А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 550В; 12А; Idm: 48А; 90Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 550В; 12А; Idm: 48А; 90Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт

162,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
125нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 76А; Idm: 260А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 76А; Idm: 260А; 51Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD