1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RQ3E120GNTB
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RQ3E120GNTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: HSMT8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 13,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15Вт
Струм стока: 27А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Гайка; M75; латунь; Різьбл: метрична; Крок: 1,5; нікель; -100÷300°C
Гайка; M75; латунь; Різьбл: метрична; Крок: 1,5; нікель; -100÷300°C

1015,59 грн

Вид різьблення:
метрична
Крок різьби:
1,5
Матеріал корпусу:
латунь
Матеріал покриття:
нікель
Недоступний
Діод: випрямний; 1,6кВ; 395А; катод на болті; DO205AB,E15; M20x1,5
Діод: випрямний; 1,6кВ; 395А; катод на болті; DO205AB,E15; M20x1,5

7579,84 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ізольований тросик - силіконовий рукав
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
DO205AB; E15
Монтаж:
гвинтовий
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; з важелем (з роликом)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; з важелем (з роликом)

233,15 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем (з роликом)
Довжина важеля:
24,1мм
Кількість всіх позицій:
2
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

2,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 365Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 365Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 6,3ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 6,3ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TAJ

23,06 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
D
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD