Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,1А; Idm: 15А; 1,4Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMN3150L-7
29,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3150L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 54мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 3,1А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перемикач: перемикач з ключем; Фікс.поз: 1; (ON)-OFF-(ON); SP3T
Перемикач: перемикач з ключем; Фікс.поз: 1; (ON)-OFF-(ON); SP3T

983,91 грн

Виводи:
до лютування
Вид ключа:
симетричний
Властивості перемикачів:
ключ виймається в центральному положенні; ключ з таким самим кодом
Кількість всіх позицій:
3
Недоступний
Вентилятор: DC; 92x92x25мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 70,98м3/г
Вентилятор: DC; 92x92x25мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 70,98м3/г

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; DPDT; Iконтактів max: 15А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; DPDT; Iконтактів max: 15А

817,92 грн

Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
29x12,4x25мм
Кількість пін:
8
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Резистор: thick film; 1,02кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,02кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,22 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 75А; 48÷530ВAC; HD48
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 75А; 48÷530ВAC; HD48

5648,77 грн

Виводи:
болтове
Зовнішні розміри:
57,3x44,5x22,6мм
Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
48...530В AC
Недоступний
Резистор: thin film; 191Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 191Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 12,1Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 12,1Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD