Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,6А; 1,5Вт; PQFN2X2

Немає в наявності
Код товару: IRLHS6376TRPBF
43,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: IRLHS6376TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Корпус: PQFN2X2
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 3,6А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Насадка: 6-гранна; HEX 4мм; 1/4"; Довж.насадки: 25мм
Насадка: 6-гранна; HEX 4мм; 1/4"; Довж.насадки: 25мм

138,11 грн

Відповідність стандарту:
DIN 3124; ISO2725-1
Довжина насадки:
25мм
Розмір гнізда:
HEX 4мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402

6,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,2пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 374Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 374Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: затискна планка; OMNIMATE; 17,5А; 320В; PIN: 26; прямий
Роз’єм: затискна планка; OMNIMATE; 17,5А; 320В; PIN: 26; прямий

0,00 грн

Кількість пін:
26
Колір корпусу:
чорний
Номінальна напруга:
0,32кВ
Номінальний струм:
17,5А
Недоступний
Резистор: thin film; 1,21кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,21кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 2,5мм; 10÷30ВDC; M5; 0,3м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 2,5мм; 10÷30ВDC; M5; 0,3м; IP67

9794,11 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
2,5мм
Довжина відводів:
0,3м
Додаткові функції:
стан режиму роботи: LED
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; NQ; 200В

1,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт

1202,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
137нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,2нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
12,3нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48нКл