Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,9А; Idm: 15А; 1,8Вт; ESD

Немає в наявності
Код товару: SI1416EDH-T1-GE3
7,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI1416EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SC70; SOT323
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 58мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: 3,9А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

2328,31 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Діод: TVS; 600Вт; 22,2÷24,5В; 18,6А; двоспрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 22,2÷24,5В; 18,6А; двоспрямована; ±5%; DO214AA

9,63 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
20В
Недоступний
Резистор: thick film; 316Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 316Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,60 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; M; 7,3x6,6x2,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; M; 7,3x6,6x2,8мм

25,85 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x2,8мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 13кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 13кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD