Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 34А; 12Вт; DFN8; 3x3мм; ESD

Немає в наявності
Код товару: AON7566
14,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: AON7566
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: DFN8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Розміри: 3x3мм
Струм стока: 34А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; H: 101мм; 5мкФ; 1,5кВDC; 630ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; H: 101мм; 5мкФ; 1,5кВDC; 630ВAC

1986,82 грн

Виводи:
гвинти М10
Висота:
101мм
Діаметр:
65мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; ±2,5÷5,5ВDC; VQFN12
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; ±2,5÷5,5ВDC; VQFN12

389,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7S; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7S; ±20%; SMD; 1210

16,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±20%
Трансформатор: мережевий; 400ВА; 400ВAC; 230В; гвинтовий; IP00
Трансформатор: мережевий; 400ВА; 400ВAC; 230В; гвинтовий; IP00

4881,53 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
230В
Електрична міцність ізоляції:
4кВ/60с
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; вертикальне; для проводу
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; вертикальне; для проводу

3,10 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальний струм:
1,5А
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
160нКл
Корпус:
FP (SC83 similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23

10,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
12нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA