Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,4А; Idm: 30А; 1,1Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN3035LWN-7
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3035LWN-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 9,9нКл
Корпус: V-DFN3030-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: 4,4А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1206

23,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Резистор: thick film; 33кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 33кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

9,50 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
33кОм
Недоступний
Викрутка: ізольований; 6-гранний ковпачок; HEX 7мм
Викрутка: ізольований; 6-гранний ковпачок; HEX 7мм

1139,76 грн

Розмір гнізда:
HEX 7мм
Серія виробника:
ERGONIC® M-Tec
Тип викрутка:
ізольований
Тип грота:
6-гранний ковпачок
Недоступний
Резистор: thick film; 10,7Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 10,7Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Конденсатор: поліпропиленовий; X1; 2,2мкФ; 1,2кВDC; 600ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X1; 2,2мкФ; 1,2кВDC; 600ВAC; THT

414,34 грн

Вид конденсатора:
X1
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 100V

89,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; Iконтактів max: 8А; PCB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; Iконтактів max: 8А; PCB

1912,70 грн

Висота:
16,5мм
Зовнішні розміри:
55x16,5x16,5мм
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
AgSnO2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD