Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 69Вт; PG-TDSON-8

Немає в наявності
Код товару: BSZ0500NSIATMA1
26,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: BSZ0500NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 69Вт
Струм стока: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; метал
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; метал

413,71 грн

Діаметр проводу макс.:
11,4мм
Застосування роз’ємів:
D-Sub 9pin; D-Sub HD 15pin
Матеріал корпусу:
метал
Модель роз’єму:
екранований; з низьким профілем
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; DO221AD,slimSMAW; Ufmax: 930мВ
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; DO221AD,slimSMAW; Ufmax: 930мВ

38,65 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
3500шт.
Корпус:
DO221AD; slimSMAW
Недоступний
Резистор: thin film; 470Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 470Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 16ВDC; ±20%

18,37 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
6,3мм
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
73,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8