1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; Idm: 16А; 900мВт; SOT26

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; Idm: 16А; 900мВт; SOT26
Немає в наявності
Код товару: DMN3051LDM-7
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN3051LDM-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 8,6нКл
Корпус: SOT26
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 64мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 87,7В; 24,8А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 87,7В; 24,8А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ

72,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
75В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 63В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 63В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 487кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 487кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

1,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
LED; 5мм; синій; 6000÷10000мкд; 10°; Голівка: опукла; 2,8÷3,6ВDC
LED; 5мм; синій; 6000÷10000мкд; 10°; Голівка: опукла; 2,8÷3,6ВDC

8,36 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
464...470нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В

0,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8