Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 500мА; Idm: 4А; 350мВт; SOT363

Немає в наявності
Код товару: DMN32D4SDW-7
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN32D4SDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 1,3нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,5А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 75,9Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 75,9Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Часове реле; 5÷120с; 4PDT; 250ВAC/3А; 100÷110ВDC; H3Y; підставка
Часове реле; 5÷120с; 4PDT; 250ВAC/3А; 100÷110ВDC; H3Y; підставка

3220,35 грн

Вид виходу:
4PDT
Діапазон підраховування:
5...120с
Електричні параметри виходу 1:
250В AC / 3А
Кількість пін:
14
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 12А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 12А

53,85 грн

Alias:
SL 3.50/05/180 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
14,3мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл