Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; Idm: 106А; 10Вт; DFN5x6

Немає в наявності
Код товару: AONS36308
9,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONS36308
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 10Вт
Струм стока: 53А
Струм стоку в імпульсі: 106А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: AC; 970x970x350мм; осьовий; 400ВAC; 17745м3/г; IP55
Вентилятор: AC; 970x970x350мм; осьовий; 400ВAC; 17745м3/г; IP55

0,00 грн

Виводи:
конектори
Вид вентилятора:
осьовий
Вид двигуна:
3-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,33мкФ
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 85В; 0,215А; 3мкс; DFN2; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 85В; 0,215А; 3мкс; DFN2; Ufmax: 1,25В

1,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний
Зворотна напруга макс.:
85В
Корпус:
DFN2
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
IC: компаратор; Cmp: 4; 80нс; 1,8÷5,5В; SMT; QFN16; ролик,cтрічка
IC: компаратор; Cmp: 4; 80нс; 1,8÷5,5В; SMT; QFN16; ролик,cтрічка

70,32 грн

Вид виходу:
відкритий дренаж
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Вхідний поляризаційний струм:
5нА
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; JPT; PIN: 22; для проводу
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; JPT; PIN: 22; для проводу

96,30 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
22
Колір:
чорний
Механічний монтаж:
для проводу
Резистор: вуглецевий; 5,6кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм
Резистор: вуглецевий; 5,6кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм

1,24 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В