Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 55А; Idm: 220А; 34,7Вт; TO252

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO55N03T1
32,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO55N03T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13,5нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34,7Вт
Струм стока: 55А
Струм стоку в імпульсі: 220А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 9,09кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 481Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 481Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJH3QF
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJH3QF

3,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 2; штекерний; промислова; 97; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 2; штекерний; промислова; 97; прямий

445,39 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 1,05Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,05Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,05Ом
Недоступний
IC: PMIC; синхронний; 500мА; 5В; 500кГц; MSOP8; Uробоча: 7÷20В; туба
IC: PMIC; синхронний; 500мА; 5В; 500кГц; MSOP8; Uробоча: 7÷20В; туба

113,41 грн

Вид об'єднаної схеми:
синхронний
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,5А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK