Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDC655BN
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 6,3А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 7; штекерний; промислова; SA20; 500В
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 7; штекерний; промислова; SA20; 500В

1014,32 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Зовнішній діаметр проводу:
8...12мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
18пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN16; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN16; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
680кОм
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; 75А; Uперемик: 42÷660ВAC; 2-фазний; IP20
Реле: напівпровідниковe; 75А; Uперемик: 42÷660ВAC; 2-фазний; IP20

8002,42 грн

Зовнішні розміри:
44,5x58x33мм
Індикація:
LED
Клас герметичності:
IP20
Модель реле:
2-фазний
Недоступний
Резистор: thick film; 191кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 191кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
191кОм
Недоступний
Резистор: metal film; 3,9Ом; THT; 3Вт; ±5%; Ø5x15мм; осьові; L: 15мм
Резистор: metal film; 3,9Ом; THT; 3Вт; ±5%; Ø5x15мм; осьові; L: 15мм

3,99 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
15мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; 125Вт

206,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252AA