Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 710А; Idm: 1560А; 242Вт; DFN5x6

Немає в наявності
Код товару: AONS30300
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONS30300
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 580мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 242Вт
Струм стока: 710А
Струм стоку в імпульсі: 1560А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,55мм
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; 0,75кВт; 3x230ВAC; 3x200÷240ВAC
Модуль автоматики: інвертор; 0,75кВт; 3x230ВAC; 3x200÷240ВAC

21008,64 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 230В AC
Вихід напруги:
0...10В
Вихідна частота:
0,1...599Гц
Властивості входу 1:
задавання швидкості обертання сигналом 0...10В, 4...20мА, 0...20мА
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 2.5A,3A; Ø: 0.9mm; series 15; CuBe; 1.5N; 25mΩ
Test probe: ICT/FCT; 2.5A,3A; Ø: 0.9mm; series 15; CuBe; 1.5N; 25mΩ

143,82 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,4мм
Діаметр наконечника:
0,9мм
Довжина:
43,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0202
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0202

34,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,33мкФ
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 85В; 0,215А; 3мкс; DFN2; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 85В; 0,215А; 3мкс; DFN2; Ufmax: 1,25В

1,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний
Зворотна напруга макс.:
85В
Корпус:
DFN2
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK