1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 320А; 59,5Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 320А; 59,5Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO80N03T1
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO80N03T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59,5Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 320А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 510мОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 510мОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

0,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 200Вт; 24ВDC; 8,4А
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 200Вт; 24ВDC; 8,4А

2394,83 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
8,4А
Діапазон вихідної напруги:
22,8...28,8В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 12,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RN73R; 200В
Резистор: thin film; 12,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RN73R; 200В

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 0603; 330мм

0,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; SMT; 3A; 250V

72,86 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 104.27; для проводу; C-TYPE
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 104.27; для проводу; C-TYPE

1739,11 грн

Застосування - серія/виробник:
C-TYPE
Кількість отворів на сальнику:
1
Клас герметичності:
IP65; IP66; IP69
Корпус:
розмір 104.27
Недоступний
Резистор: thin film; 11,5кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 11,5кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK