Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9А; Idm: 18А; 1,25Вт; uDFN6; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SSM6K504NU,LF(T
8,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Крок додавання: 5
Код товару: SSM6K504NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,8нКл
Корпус: uDFN6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Мірник: температури; цифровий,монтажний; панельний; LED; 5 цифр
Мірник: температури; цифровий,монтажний; панельний; LED; 5 цифр

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
температури (за допомогою термопари K)
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Наконечник: втулковий; ізольована,подвійний; мідь; 0,5мм2; 8мм
Наконечник: втулковий; ізольована,подвійний; мідь; 0,5мм2; 8мм

1,77 грн

Версія наконечника:
ізольована; подвійний
Довжина кінцівки:
8мм
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
мідь
Недоступний
Резистор: thin film; 5,76кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 5,76кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Кристал; 32МГц; SMD; 2x1,6x0,5мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm; -20÷70°C
Кристал; 32МГц; SMD; 2x1,6x0,5мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm; -20÷70°C

23,06 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,15 грн

Alias:
KGM05AR71H152KH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Резистор: thin film; 487кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 487кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8