Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9А; Idm: 24А; 2,4Вт; MicroFET

Немає в наявності
Код товару: FDMA7672
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMA7672
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: MicroFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 32мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,4Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
M32; 1,5; IP54; латунь; SKINDICHT®; SKINDICHT® SVRE
M32; 1,5; IP54; латунь; SKINDICHT®; SKINDICHT® SVRE

352,89 грн

Клас герметичності:
IP54
Крок різьби:
1,5
Матеріал корпусу:
латунь
Матеріал покриття:
нікель
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,6В; SMD; DO213AA; 3мкА
Діод: зенера; 500мВт; 3,6В; SMD; DO213AA; 3мкА

542,32 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3,6В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: D-Sub; PIN: 25; plug; data transfer; soldering
Connector: D-Sub; PIN: 25; plug; data transfer; soldering

546,76 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
25
Кількість циклів макс.:
100
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; X-Lok; прямий
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; X-Lok; прямий

484,04 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Резистор: thick film; 22Ом; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V

203,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
13,2мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD