Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: DN3535N8-G
Price: 42.45 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: DN3535N8-G

42,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DN3535N8-G

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збіднений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOT89-3

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

350В

Опір в стані провідності:

10Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,6Вт

Стандартне пакування виробника:

2000шт.

Струм стока:

0,23А

Струм стоку в імпульсі:

0,5А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
9,3нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
SuperSOT-6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
7нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 306Вт; D2PAK,SOT404

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
137нКл

Корпус:
D2PAK; SOT404

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,1А; 1,4Вт; SOT23

8,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
4,7нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,6А; 56,8Вт; TO252

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9,9нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD