1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTY3N50P
19,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTY3N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 9,3нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 70Вт
Струм стока: 3А
Технологія: Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 400нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0805

5,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
5,1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 237кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 237кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; CQ; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Ферит: бусина; SMD; 5А; 1204; R: 25мОм; ±25%; Z: 60Ом; 100МГц
Ферит: бусина; SMD; 5А; 1204; R: 25мОм; ±25%; Z: 60Ом; 100МГц

0,89 грн

Допуск:
±25%
Імпеданс:
60Ом
Корпус - дюйм:
1204
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Запобіжник: плавка; NH1; промисловий; 160А; 690ВAC; gG
Запобіжник: плавка; NH1; промисловий; 160А; 690ВAC; gG

1205,65 грн

Вид запобіжника:
промисловий
Номінальна напруга:
690В AC
Номінальний струм:
0,16кА
Потужність розсіювання:
14,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8