Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,1А; 25Вт; IPAK,TO251

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFU310PBF
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFU310PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 3,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 1,1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx18бит; 2,375÷2,625В; 166нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx18бит; 2,375÷2,625В; 166нс; TQFP100

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1,5кА; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1,5кА; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

3621,39 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61000-6-4; EN 61010-1
Властивості вимірювальних приладів:
виконання, наближене до морського
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPDT; Iконтактів max: 2А

37,38 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
18В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В; -55÷155°C

3,93 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; FV; 4,4x4,4x2,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; FV; 4,4x4,4x2,8мм

19,64 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,4x4,4x2,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 80В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 80В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Провід; PURO-JZ; JZ; 18G1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; сірий
Провід; PURO-JZ; JZ; 18G1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; сірий

768,50 грн

Bластивості проводів:
еластичний
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23А; Idm: 110А; 130Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23А; Idm: 110А; 130Вт; TO220

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; 150Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; 150Вт; TO220-3

175,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 18А; 45Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 18А; 45Вт; TO220FP

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; Idm: 380А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; Idm: 380А; 200Вт; TO220AB

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 320Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 320Вт; TO220-3

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 650В; 8А; Idm: 52А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 650В; 8А; Idm: 52А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт; TO220FP

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD