IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx18бит; 2,375÷2,625В; 166нс; TQFP100

Немає в наявності
Код товару: AS8C161831-QC166N
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS8C161831-QC166N
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TQFP100
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,375...2,625В
Структура пам'яті: 1Mx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 166нс
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1,5кА; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1,5кА; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

3621,39 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61000-6-4; EN 61010-1
Властивості вимірювальних приладів:
виконання, наближене до морського
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPDT; Iконтактів max: 2А

37,38 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
18В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В; -55÷155°C

3,93 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; FV; 4,4x4,4x2,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; FV; 4,4x4,4x2,8мм

19,64 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,4x4,4x2,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 80В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 80В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Провід; PURO-JZ; JZ; 18G1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; сірий
Провід; PURO-JZ; JZ; 18G1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; сірий

768,50 грн

Bластивості проводів:
еластичний
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Резистор: thin film; 402кОм; 63мВт; 1,6x0,8x0,4мм
Резистор: thin film; 402кОм; 63мВт; 1,6x0,8x0,4мм

27,37 грн

Опір:
402кОм
Потужність:
63мВт
Розміри корпусу:
1,6x0,8x0,4мм
Тип резистора:
thin film
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD