Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: IRFR320TRPBF-BE3
19,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: IRFR320TRPBF-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 1,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 2А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 542Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 542Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перемикач: антивандальний; DPDT; 3A/250ВAC; IP67; ON-(ON); синій
Перемикач: антивандальний; DPDT; 3A/250ВAC; IP67; ON-(ON); синій

1263,94 грн

Виводи:
паяльні пластинки
Електрична стійкість:
30000 цикли
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; MCT0603; H; 75В
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; MCT0603; H; 75В

10,90 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Фототранзистор; PLCC2; SMD; 165мВт; λp макс: 980нм; 35В; 60°
Фототранзистор; PLCC2; SMD; 165мВт; λp макс: 980нм; 35В; 60°

26,61 грн

Довжина хвилі λd:
750...1120нм
Довжина хвилі у точці макс. чутливості:
980нм
Корпус:
PLCC2
Кут поля зору:
60°
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15,15Вт; Uвх: 4,3÷5,5ВDC; Uвих: 1,2ВDC; SMT
Перетворювач: DC/DC; 15,15Вт; Uвх: 4,3÷5,5ВDC; Uвих: 1,2ВDC; SMT

541,05 грн

Вихідна напруга:
1,2В DC
Вихідна напруга 2:
1,8В DC
Вихідна напруга 3:
3,3В DC
Вихідна напруга 4:
2,5В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V

258,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 100нФ; 26,5x8,5x17мм; 22,5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 100нФ; 26,5x8,5x17мм; 22,5мм

39,22 грн

Виводи:
радіальні
Ємність:
0,1мкФ
Растр виводів:
22,5мм
Розміри корпусу:
26,5x8,5x17мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK