Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт

Немає в наявності
Код товару: IRF740ASTRRPBF
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IRF740ASTRRPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 0,55Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 6,3А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 100В; SMD; SOD123F; одиночний діод
Діод: зенера; 1Вт; 100В; SMD; SOD123F; одиночний діод

17,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зенерівська напруга:
100В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 3A; 2x10
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 3A; 2x10

143,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
20
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама" код.Х,RJ45 вилка; прямий
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама" код.Х,RJ45 вилка; прямий

4223,27 грн

Довжина кабелю:
10м
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67
Конструкція кабелю/переходу:
RJ45 вилка; М12 "мама" код. Х
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; 480Вт; 24ВDC; 20А; 320÷575ВAC; IP20
Блок живлення: імпульсний; 480Вт; 24ВDC; 20А; 320÷575ВAC; IP20

9521,05 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
20А
Діапазон вихідної напруги:
23...28,5В DC
Додаткові функції:
стан режиму роботи: LED
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 36Вт; Uвх: 8÷15ВDC; Uвих: 700мВDC÷1,8ВDC; SMT
Перетворювач: DC/DC; 36Вт; Uвх: 8÷15ВDC; Uвих: 700мВDC÷1,8ВDC; SMT

518,25 грн

Вихідна напруга:
0,7...1,8В DC
Вихідний струм:
20А
Вхідна напруга:
8...15В DC
Зовнішні розміри:
10,5x9x5,6мм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

143,18 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
15x7,4x8,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,82 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26