Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHF740S-GE3
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHF740S-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 0,55Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 6,3А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Наконечник; викрутка; 1,5мм; 366°C; SmartHeat®
Наконечник; викрутка; 1,5мм; 366°C; SmartHeat®

736,82 грн

Застосування паяльного обладнання:
для паяльника; до паяльної станції
Розміри наконечника:
1,5мм
Супутні товари:
MFR-2220; MFR-2222; MFR-H2-ST2
Температура наконечника:
366°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: metal film; 54,9Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 54,9Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V

76,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 2÷5,5ВDC; THT; DIP28; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 2÷5,5ВDC; THT; DIP28; PIC18; туба

430,82 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Інтерфейс:
A/E/USART; CAN; LIN; MSSP (SPI / I2C)
Недоступний
Резистор: thin film; 910кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 910кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK