1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; 156Вт; TO220

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; 156Вт; TO220
Немає в наявності
Код товару: AOT2142L
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOT2142L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: полімерний; H: 12,5мм; 680мкФ; 25ВDC; 3,4А; SMD; APV
Конденсатор: полімерний; H: 12,5мм; 680мкФ; 25ВDC; 3,4А; SMD; APV

0,00 грн

Висота:
12,5мм
Діаметр:
10мм
Діаметр роліка макс.:
380мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 17,8Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 17,8Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

791,31 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 29,4Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 29,4Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
80нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл