Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; 158Вт; D2PAK,TO263

Немає в наявності
Код товару: IPB120N04S402ATMA1
62,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB120N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 134нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,58мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 158Вт
Струм стока: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; 150нс; SOD123F; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; 150нс; SOD123F; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 30А

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Резистор: thin film; 267Ом; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 267Ом; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; 25ppm/°C

1,41 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
267Ом
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 14,4÷15,9В; 69,8А; односпрямована; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 14,4÷15,9В; 69,8А; односпрямована; DO214AB,SMC

16,73 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
13В
Недоступний
Діод: випрямний; 1,2кВ; 100А; анод на болті; DO205AC,E13; 1,55В
Діод: випрямний; 1,2кВ; 100А; анод на болті; DO205AC,E13; 1,55В

2787,64 грн

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
DO205AC; E13
Монтаж:
гвинтовий
Монтажний гвинт:
1/2"-20UNF-2A
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; SOIC8; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; SOIC8; PIC16

25,53 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC; CWG; NCO; PoR; PPS; watchdog; ZCD
Інтерфейс:
ADC; EUSART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485; SMBus
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; H: 31мм; 10мкФ; 500ВDC
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; H: 31мм; 10мкФ; 500ВDC

0,00 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
DC-Link
Висота:
31мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 75; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 75; THT; straight

71,59 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,3мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD