Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18,6А; Idm: 63А; 2,5Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: FDS8840NZ
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: FDS8840NZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 103нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 18,6А
Струм стоку в імпульсі: 63А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 634кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 634кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
634кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 94,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 94,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 78,7Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 78,7Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6RQF
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6RQF

3,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; RK73B; 75В
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; RK73B; 75В

0,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 12÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 500мА; SIP3
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 12÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 500мА; SIP3

124,81 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
12...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252AA
Монтаж:
SMD