Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 24А; 45Вт; PDFN56U

Немає в наявності
Код товару: TSM025NB04LCR RLG
125,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM025NB04LCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 112нКл
Корпус: PDFN56U
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Контейнер; AA,R6; К-сть бат: 5; типу 6F22; чорний
Контейнер; AA,R6; К-сть бат: 5; типу 6F22; чорний

36,75 грн

Виводи:
типу 6F22
Кількість батарей:
5
Колір:
чорний
Розмір осередку:
AA; R6
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; SOD123; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; SOD123; 2мкА

1,47 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
SOD123
Монтаж:
SMD
Connector: wire-wire; plug; male; data; tinned; straight
Connector: wire-wire; plug; male; data; tinned; straight

9,82 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Матеріал контакту:
латунь
Покриття контакту:
луджений
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 5мГн; 2А; R: 70мОм; Ø17,8x11,43мм; Ø: 17,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 5мГн; 2А; R: 70мОм; Ø17,8x11,43мм; Ø: 17,8мм

79,19 грн

Висота:
11,43мм
Діаметр:
17,8мм
Індуктивність:
5мГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
Модуль автоматики: контролер руху; Інтерфейс: USB; 1ГГц; 1ГБ
Модуль автоматики: контролер руху; Інтерфейс: USB; 1ГГц; 1ГБ

0,00 грн

Інтерфейс:
USB
Комунікаційний протокол:
EtherCAT; EtherNET/IP
Об’єм пам’яті:
1ГБ
Особливості модулів:
8 axes
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; DIP8
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; DIP8

0,00 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; 14,9А; односпрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; 14,9А; односпрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

4,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8