1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 24А; Idm: 110А; 9Вт; DPAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 24А; Idm: 110А; 9Вт; DPAK
Немає в наявності
Код товару: NVD5C486NLT4G
102,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVD5C486NLT4G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,8нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 9Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: провід-провід; PIN: 3; прямий; затискання
Роз’єм: провід-провід; PIN: 3; прямий; затискання

176,13 грн

Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
провід-провід
Недоступний
Наконечник; викрутка,подовжене; 2,5мм; 468°C; з нагрівачем
Наконечник; викрутка,подовжене; 2,5мм; 468°C; з нагрівачем

1908,90 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
2,5мм
Супутні товари:
CV-5210; CV-H1-AV; CV-UK1; MX-5210; MX-5241; MX-5251; MX-H1-AV
Недоступний
M12; PIN: 4; штекерний,прямий; неекранований,прямий; вилка; SAI
M12; PIN: 4; штекерний,прямий; неекранований,прямий; вилка; SAI

1037,76 грн

Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; CRGH
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; CRGH

8,81 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V

124,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 130нГн; 640мА; R: 0,23Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 130нГн; 640мА; R: 0,23Ом; ±5%; LQW

4,75 грн

Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,13мкГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: Oпераційний підсилювач; 50МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 50МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

354,16 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD