Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 325А; Idm: 1659А; 375Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK7S1R0-40HJ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: BUK7S1R0-40HJ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 137нКл
Корпус: LFPAK88; SOT1235
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 325А
Струм стоку в імпульсі: 1659А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; 4А

1205,65 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 3м; вилка; 250ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 3м; вилка; 250ВDC

831,22 грн

Довжина кабелю:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Індикатор: LED; янтарний; 2ВDC; PM3; проводи; 300мм; пластик; 40мкд
Індикатор: LED; янтарний; 2ВDC; PM3; проводи; 300мм; пластик; 40мкд

92,50 грн

Виводи:
проводи
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина відводів:
0,3м
Колір індикатора:
янтарний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20,5нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A

694,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 15Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; односпрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; односпрямована; SMA; SMAJ

7,60 грн

Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
40...44,2В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD