1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 340А; 480Вт; TO263-7; 43нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 340А; 480Вт; TO263-7; 43нс
Немає в наявності
Код товару: IXTA340N04T4-7
253,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA340N04T4-7
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 256нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 340А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 43нс
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; 0,225Вт; SOT23,TO236AB
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; 0,225Вт; SOT23,TO236AB

0,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 12; гніздовий; промислова; 30В; прямий
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 12; гніздовий; промислова; 30В; прямий

862,27 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Застосування - серія/виробник:
763
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,6пФ
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 200Вт; 5ВDC; 40А
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 200Вт; 5ВDC; 40А

4929,05 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
40А
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 138А; Idm: 829А; 27Вт; LFPAK56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 138А; Idm: 829А; 27Вт; LFPAK56

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
LFPAK56
Недоступний
Резистор: thick film; 27кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 27кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,51нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SC89; SOT563