Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2318CDS-T1-GE3
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 4,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; brass; 0.6N; Plating: gold-plated
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; brass; 0.6N; Plating: gold-plated

333,88 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
4мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 274Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 274Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Tap: metric; M2; right hand thread; 0.4; L: 45mm; 2.1mm; 6H; Silver
Tap: metric; M2; right hand thread; 0.4; L: 45mm; 2.1mm; 6H; Silver

1998,23 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; SMT; 3A; 250V

145,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V

41,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Трансформатор: литий; 2,1ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 88мА; 88мА; PCB; IP00
Трансформатор: литий; 2,1ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 88мА; 88мА; PCB; IP00

134,31 грн

Виводи вторинної обмотки:
6-7, 9-10
Виводи первинної обмотки:
1-5
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-1:2000; PN EN 61558-2-1:2000; PN EN 61558-2-6:2000
Вторинна напруга 1:
12В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
U-DFN2020-6 Type E
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK; TO263