Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SQ2318CES-T1_GE3
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQ2318CES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 63мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 3А; Полюси: 2
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 3А; Полюси: 2

1913,97 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
2
Клас герметичності:
IP20
Допоміжні контакти; Контакти: NC x2 + NO x2
Допоміжні контакти; Контакти: NC x2 + NO x2

831,22 грн

Конфігурація контактів:
NC x2 + NO x2
Тип аксесуарів для контакторів:
допоміжні контакти
Недоступний
Резистор: thick film; 37,4кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 37,4кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Пінцет: прямий; 145мм; Форма кінц.леза: заокруглений
Пінцет: прямий; 145мм; Форма кінц.леза: заокруглений

903,45 грн

Використання інструментів:
універсальний
Довжина пінцета:
145мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Тип пінцета:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B

2,61 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,25 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK