1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,7А; Idm: 28А; 2,14Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,7А; Idm: 28А; 2,14Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: DMN4027SSDQ-13
25,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMN4027SSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 12,9нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 47мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,14Вт
Струм стока: 5,7А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 90; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 90; THT; straight

140,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.46mm; GKS-081; CuBe; 0.8N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.46mm; GKS-081; CuBe; 0.8N; push-in

391,54 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
7,5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
0,46мм
Недоступний
Резистор: metal film; 82кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%; 200В
Резистор: metal film; 82кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%; 200В

12,29 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 6,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 6,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм

1,46 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 16,2Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 16,2Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
16,2Ом
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO252